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STW4N150

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Última actualización

DatasheetSTW4N150

4A/1500V/1U

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Features

  • N-Channel Power MOSFET
  • 100 % avalanche tested
  • Intrinsic capacitances and Qg minimized
  • High speed switching
  • Fully isolated TO-3PF plastic package
  • Creepage distance path is 5.4 mm (typ) for TO-3PF

Aplications

  • Applications
  • Switching

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    STW4N150

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