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GB75DA120UP

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DatasheetGB75DA120UP

75A/1200V/1U

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Features

  • Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT)
  • NPT generation V IGBT technology
  • Square RBSOA
  • HEXFRED low Qrr, low switching energy
  • Positive VCE(on) temperature coefficient
  • Fully isolated package
  • Speed 8 kHz to 60 kHz
  • Very low internal inductance (<5 nH typical)
  • Industry standar outline
  • UL aproved file E78996 RU

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    GB75DA120UP

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