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MG50Q6ES11

$157.50
IVA incluido

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q6ES11

50A/1200V/6U

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Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • 6 IGBTs are Built Into 1 Package
  • Enhancement-Mode
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 4.0V (Max.)
  • High Speed :
  • tf = 0.5us (Max.)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    MG50Q6ES11

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