• GT60M323

GT60M323

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DatasheetGT60M323

31A/900V/1U

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Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT
  • Fearures
  • Enhancement-Mode type
  • High Speed : tf=0.09us (typ.) (Ic=60A)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.3V (typ.) (Ic = 60A)
  • FRD included between Emitter and Collector
  • TO-3P(LH) (Toshiba package name)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    GT60M323

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