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GT20J301

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DatasheetGT20J301

20A/600V/1U

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Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT
  • Fearures
  • The 3rd Generation
  • Enhancement-Mode
  • High Speed : tf=0.30us (Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.7V (Max.)
  • FRD included between Emitter and Collector

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    GT20J301

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