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K40J60T

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VARIOS

Última actualización

DatasheetK40J60T

40A/600V/1U

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Features

  • Silicon N Channel MOS
  • Low drain-source ON-resistance : RDS(ON)= 0.068 Ohms (typ)
  • High forward transfer admittance Yfs = 25 S (typ)
  • Low leakage current : IDSS = 100 uA (VDS = 600 V)
  • Enhancement-mode : Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1mA)

Aplications

  • Applications
  • Switching Regulator

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    K40J60T

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