• SGB07N120

SGB07N120

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DatasheetSGB07N120

8A/1200V/1U

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Features

  • Fast S-IGBT in NPT-technology
  • lower Eoff compared to previous generation
  • Short circuit withstand time - 10 us
  • NPT-Technology offers :
  • very tight parameter distribution
  • high ruggedness, temperature stable behavior
  • Parallel switching capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    SGB07N120

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