• RJP30H2A

RJP30H2A

$3.94
IVA incluido

VARIOS

Última actualización

DatasheetRJP30H2A

35A/360V/1U

No Identificado

Delivery time :

Agotado

Interested in this product? Drop us an email and we will let you know when it's available for order.

  Security policy

Tus compras son seguras

  Delivery policy

Envíos gratuitos en compras mayores a 160USD sin iva. La entrega depende de la disponibilidad.

  Return policy

Todos nuestros productos cuentan con una garantía contra defectos de fabricación.

Features

  • Silicon N Channel IGBT
  • Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
  • Low collector to emitter saturation voltage : VCE(sat) = 1.4 V typ
  • High speed switching : tf = 100 ns typ, tr = 180 ns typ
  • Low leak current : ICES = 1 uA max

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    RJP30H2A

Comentarios (0)

No hay opiniones de clientes por el momento.

Productos más vistos

16 other products in the same category