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IRG4PC50F

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DatasheetIRG4PC50F

39A/600V/1U

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Features

  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, > 20 kHz in resonant mode)
  • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
  • Industry standar TO-247AC package

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    IRG4PC50F

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