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2SK2699

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TRANSISTORES N MOS

Última actualización

Datasheet2SK2699

12A/600/1U

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Features

  • SILICON N CHANNEL MOS TYPE
  • Low Drain-Source ON Resistance : RDS (ON) = 0.5 Ohms (Typ.)
  • High Forward Transfer Admittance : Yfs = 11S (Typ.)
  • Low Leakage Current : IDSS = 100uA (Max.) (VDS = 600V)
  • Enhancement-Mode : Vth = 2.0 - 4.0 V (VDS = 10V, ID = 1mA)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    2SK2699

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