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BUK436-1000B

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DatasheetBUK436-1000B

2A/1000B/1U

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Features

  • PowerMOS Transistor
  • VDS Drain-Surge Voltage 1000 V
  • ID Drain Current (DC) 3.1 A
  • Ptot Total power dissipation 125 W
  • Rds(ON) Drain-source on-state resistance RDS(ON) 5 Ohms

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    BUK436-1000B

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