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GT50J325

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DatasheetGT50J325

50A/600V/1U

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Features

  • Silicon N Channel IGBT
  • The 4th generation
  • Enhancement-mode
  • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
  • High speed : tf=0.05uS (typ)
  • Low switching loss: Eon = 1.30 mJ (typ)
  • Eoff = 1.34 mJ (typ)
  • Low saturation Voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ)
  • FRD included between emitter and collector

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Fast Switching

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    GT50J325

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