• GT8J101

GT8J101

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TRANSISTORES N MOS

Última actualización

DatasheetGT8J101

8A/600V/1U

No Identificado

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Features

  • SILICON N-CHANNEL IGBT
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=0.5us (MAX.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 4.0 V (Max.)
  • Enhancement-mode

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    GT8J101

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