• MJ900

MJ900

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DatasheetMJ900

8A/60V/1U

No Identificado

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Features

  • Silicon PNP Darlington Power Transistor
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage-
  • V(BR)CEO = 60 V (Min.)
  • High DC Current Gain-
  • hfe = 1000 (Min.) @ Ic = 3 A
  • Low Collector Saturation Voltage-
  • VCE(sat) = -2.0 V (Max.) @ Ic = 3 A

Aplications

  • Applications
  • General purpose amplifier applications

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    MJ900

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