• IRG4RC10S

IRG4RC10S

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DatasheetIRG4RC10S

14A/600V/1U

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Features

  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • Extremely low voltage drop ; 1.0V typical 2A, 100u00c2u00b0C
  • Estu00c3u00a1ndar : Optimized for minimum saturation
  • voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
  • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter
  • distribution and higher efficiency than previous generation
  • Industry standar TO-252AA package

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    IRG4RC10S

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