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IRGS30B60KPBF

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DatasheetIRGS30B60KPBF

50A/600V/1U

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Features

  • INSULSTED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology
  • 10us Short Circuit Capability
  • Square RBSOA
  • Positive BCE (on) Temperature Coefficient
  • Maximum Junction Temperature rated at 175 C
  • Lead-Free

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    IRGS30B60KPBF

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