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RJP60D0

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DatasheetRJP60D0

22A/600V/1U

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Features

  • Silicon N Channel IGBT
  • Short circuit withstand time (5 us typ.)
  • Low collector to emitter saturation voltage
  • VCE(sat) = 1.6 typ. (IC = 22 A, Vge = 15 V, Ta = 25 C)
  • Gate to emitter voltage rating +- 30 V
  • Pb-free lead plating and chip bonding

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    RJP60D0

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