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6MBI75S120-01

$150.00
IVA incluido

IGBT - IPM

Última actualización

Datasheet6MBI75S120-01

2.7A/520V/1U

No Identificado

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Features

  • N-Channel Power MOSFET
  • 100% avalanche tested
  • Extremely high dv/dt capability
  • Gate charge minimized
  • Very low intrinsic capacitances
  • Very good manufacturing repeatability
  • Improved ESD capability

Aplications

  • Applications
  • Switching

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    6MBI75S120-01

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