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UPA1501H

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Última actualización

DatasheetUPA1501H

3A/120V/1U

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Features

  • N-Channel Power MOS FET Array Transistor
  • 4 V driving is possible
  • Low On-state Resistance
  • RDS(on)<= 0.42 Ohms Max. (VGS= 10 V, ID= 2 A)
  • RDS(on)<=0.49 Ohms Max. (VGS = 4 V, ID = 2 A)
  • Surge Absorber, built in

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    UPA1501H

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