• MG200Q2YS65H

MG200Q2YS65H

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IVA incluido

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG200Q2YS65H

200A/1200V/2U

No Identificado

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Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 3.6V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

  • Marca
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    MG200Q2YS65H

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